EXICON ECW20N20 Transistor MOSFET

EXICON ECW20N20 Transistor MOSFET
Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio.
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Informations

Exicon ECW20N20

Transistor MOSFET

EXICON ECW20N20 Transistor MOSFET

Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio. Leur stabilité de fonctionnement et thermique les rend extrêmement fiables et supprime la nécessité d'un circuit de protection. Ces avantages, associés à une large bande passante, à de faibles exigences en matière d'énergie et à la facilité de mise en parallèle permettent la construction aisée d'amplificateurs robustes, dotés d'excellentes caractéristiques sonores.

Le ECW20N20 possède des performances qualitatives :

  • Spécifiquement conçu pour les applications d'amplification audio.
  • Conductivité thermique élevée.
  • Excellentes caractéristiques de fréquence.
  • Diode de protection intégrée.
  • Absence de concentration de courant, pour une résistance élevée à la destruction électrique.
  • Caractéristiques thermiques protégeant contre les courts-circuits et l'emballement thermique.
  • Complémentaire au modèle ECW20P20
EXICON ECW20N20 Transistor MOSFET

Caractéristiques techniques

Spécifications
Type de produitMOSFET
Nombre de contacts3
PackageTO-264
Valeurs maximum (Tc = 25°C)
Tension drain-source (Vdss)200V
Tension grille-source (Vgss)+/-14V
Courant drain continu (Id)16A
Courant d'attaque (Idr)16A
Dissipation de puissance permise * Tcase=25°C (Pd)250W
Température canaux (Tch)150°C
Plage de température de stockage (Tstg)-55°C à 150°C
Caractéristiques électriques (TC = 25°C)
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
BVdsxTension de rupture drain-sourceVgs = -10V
Id = 10mA
200V--
Vgs(off)Tension de coupure grille-sourceVds = 10V
Id = 100mA
0.1V-1.5V
Vds(sat)Tension de saturation drain-sourceVgd = 0
Id = 16A
--12V
IdsxCourant de coupure drain-sourceVgs = -10V
Vds = 200V
--10mA
Caractéristiques dynamiques
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
CissCapacitance d'entréeVgs = 0 / Vds =10v / F=1.0MHz-900pF-
CossCapacitance de sortieVgs = 0 / Vds =10v / F=1.0MHz-500pF-
CrssCapacitance de transfert inverseVgs = 0 / Vds =10v / F=1.0MHz-16pF-
TonTurn-on timeVds = 20V / Id = 7A-155ns-
ToffTurn-off timeVds = 20V / Id = 7A-90ns-
EXICON ECW20N20 Transistor MOSFET
 
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No anti-static packaging!
Exicon lateral MOSFETs are true audiophile parts, not available at many vendors. It is great that Audiophonics has added them to the stock.

They arrived in the paper box with more than enough of paper and bubble wrap for protection. After unwrapping ample protection, there was a real shocker. They were packed in a plain plastic bag.

MOSFETs are parts highly sensitive to any electrostatic discharge. Even 20 V between two specific pins can damage them. They should be packed in the ESD safe bags meant for electronic components and handled following ESD safe procedures.

Warehouse personnel should be provided with training and required accessories. Thankfully, all received parts check as good.
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