EXICON ECX10P20 Transistor MOSFET (2SJ162)

EXICON ECX10P20 Transistor MOSFET 2SJ162
Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio.

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Informations

Exicon ECX10P20

Transistor MOSFET 2SJ162

Exicon ECX10P20 Transistor MOSFET (2SJ162)

Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d'amplificateurs audio. Leur stabilité de fonctionnement et thermique les rend extrêmement fiables et supprime la nécessité d'un circuit de protection. Ces avantages, associés à une large bande passante, à de faibles exigences en matière d'énergie et à la facilité de mise en parallèle permettent la construction aisée d'amplificateurs robustes, dotés d'excellentes caractéristiques sonores.

Le EXC10P20 est un excellent équivalent du 2SJ162, avec des performances améliorées :

  • Spécifiquement conçu pour les applications d'amplification audio.
  • Conductivité thermique élevée.
  • Excellentes caractéristiques de fréquence.
  • Diode de protection intégrée.
  • Absence de concentration de courant, pour une résistance élevée à la destruction électrique.
  • Caractéristiques thermiques protégeant contre les courts-circuits et l'emballement thermique.
  • Complémentaire au modèle EXC10N20
Exicon ECX10P20 Transistor MOSFET (2SJ162)

Caractéristiques techniques

Spécifications
Type de produitMOSFET
Nombre de contacts3
PackageTO-247
Valeurs maximum (Tc = 25°C)
Tension drain-source (Vdss)-200V
Tension grille-source (Vgss)+/-14V
Courant drain continu (Id)-8A
Courant d'attaque (Idr)-8A
Dissipation de puissance permise * Tcase=25°C (Pd)125W
Température canaux (Tch)150°C
Plage de température de stockage (Tstg)-55°C à 150°C
Caractéristiques électriques (TC = 25°C)
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
BVdsxTension de rupture drain-sourceVgs = 10V
Id = -10mA
-200V--
Vgs(off)Tension de coupure grille-sourceVds = 10V
Id = -100mA
-0.15V--1.5V
Vds(sat)Tension de saturation drain-sourceVgd = 0
Id = -8A
---10V
IdsxCourant de coupure drain-sourceVgs = 10V
Vds = 200V
---10mA
Caractéristiques dynamiques
SymboleParamètresConditions de testMin.Typ.Max.
CissCapacitance d'entrée--500pF-
CossCapacitance de sortieVgs = 0-300pF-
CrssCapacitance de transfert inversef = 1MHz-10pF-
TonTurn-on timeVds = -20V-100ns-
ToffTurn-off timeId = -7A-50ns-
Exicon ECX10P20 Transistor MOSFET (2SJ162)
 
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